ものづくり研究開発センター 加工設備

ICPドライエッチング装置


ICPドライエッチング装置【133321580323.jpg】
機器概要

ボッシュプロセス法によってシリコン基板をフォトレジストをマスクとして高アスペクト比加工が可能である。
主な用途

シリコン基板の深掘り加工、センサやシリコン金型などの垂直加工構造の形成 

設備名 ICPドライエッチング装置
メーカー名 住友精密工業(株)
型式 MUC−21 ASE−SRE
導入年 H18年度
仕様 対応基板:4インチシリコンウエハー、ガラス付シリコンウエハー
ボッシュプロセス対応、
SOI基板対応
シリコンエッチレート:2μm/min以上(条件による)
設置場所 ものづくり研究開発センター