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機器概要試料表面にX線を照射し、放出される光電子のエネルギーを測定することにより、表面から数nm程度の極表面に存在する元素組成が分析できます。イオン銃によるエッチングを併用することで深さ方向の元素の分布を調べることも可能です。主な用途各種材料、薄膜、電極等の表面元素分析、深さ方向分析 |
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設備名 | (μ-XPS) |
メーカー名 | アルバック・ファイ株式会社 |
型式 | PHI5000 Versa ProbeV |
導入年 | H30年度 |
仕様 |
・X線源:Alモノクロ、Mg、Zr ・最小分析径:10μmφ ・帯電中和機構 ・イオンエッチング:Arイオン銃、Arガスクラスターイオン銃(GCIB) |
設置場所 | 機械電子研究所 表面分析室 |