研究開発テーマ詳細

課題番号	5-050
タイトル	MEMSﾃﾞﾊﾞｲｽにおける貫通電極技術に関する研究
研究者	小幡　勤
研究期間	平成20年度

年度	報告書　＜冒頭部分＞	研究報告本文	研究成果概要
20	センサの小型化、高性能化を実現するため、配線取りだし部に貫通電極を利用する方法が開発され、シリコンではすでにLSI に応用されはじめている。MEMS センサの場合、シリコンの構造体とガラスを一体化するような形のアイテムが多く、ガラス側に貫通電極が形成できればデバイスの小型化、高周波対応などによって幅広いアプリケーションにも対応が可能になる。本研究では、貫通電極を持ったガラス基板を開発し、シリコン基板との接合を行いその評価を行った。